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TP65H050G4YS

零件编号 TP65H050G4YS
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
封装
包装 管子
数量 402
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$15.0780

$15.0780

10

$13.2825

$132.8250

450

$10.4055

$4,682.4750

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗(最大)132W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-4L
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 400 V

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Roving Networks (Microchip Technology)
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
Omron Electronic Components
SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 1POS
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 1POS
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER VERT 2POS
Sullins Connector Solutions
CONN HEADER R/A 2POS
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